來源：中國產(chǎn)業(yè)信息

    一、電子行業(yè)薄膜制備關鍵原料，預計 2016-2019 全球靶材市場增速達 13%

    靶材全球市場預計 16-19 復合增速 13%。 2016 年全球濺射靶材市場容量達 113.6 億美元，相比于 2015 年的 94.8 億美元增長 20%。預測 2016-2019 年均復合增長率達 13%， 到 2019 年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過 163 億美元。 2016 年全球靶材市場的下游結構中，半導體占比 10%、平板顯示占 34%、太陽能電池占 21%、記錄媒體占 29%，靶材性能要求依次降低。

2014-2016 全球靶材市場規(guī)模

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2016 年全球濺射靶材應用結構

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    市場集中度高，日、美占據(jù) 80%高端靶材市場。 濺射靶材由于其高技術、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè) 2017 年占據(jù)全球約 80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，主導高端的半導體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學薄膜領域，原料多從國外進口；中國靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，逐步切入以原料以進口為主的全球主流半導體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。

    二、國國內(nèi)靶材市場需求情況分析及預測

    1、 平面顯示：靶材第一大應用，切入京東方等國內(nèi)顯示龍頭的供應體系是關鍵我國平面顯示靶材市場發(fā)展迅猛， 2016 年市場規(guī)模已達到 80 億元。 2013-2016 年，全球平板顯示用濺射靶材市場規(guī)模分別為 29.5 億美元、 31.4億美元、 33.8 億美元和 38 億美元。其中，我國平板顯示用濺射靶材 2013-2016 市場規(guī)模分別為 39.4 億元、 55 億元、 69.3 億元和 80 億元。中國平面靶材需求在全球占比已經(jīng)從2013 年約 20%提升到 2016 年占比超過 30%。

2013-2016 年全球平面顯示靶材市場規(guī)模

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2013-2016 年中國平面顯示靶材市場規(guī)模

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    預計 2018-2020 年國內(nèi)顯示靶材需求增速維持 20-25%增速。 中國大陸從上世紀 80 年代開始進入液晶顯示領域，在政府政策導向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016 年中國平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達到 1500 億元，同比增長 25.99%； 2012-2016 年國內(nèi)平板顯示增速基本保持在 25%以上。 此外考慮到國內(nèi) LCD 國產(chǎn)替代進程加速、再加上 OLED 滲透率有 望快速提升，預計 2018-2020 年國內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在 20-25%；對應到國內(nèi)顯示靶材的需求也將相應增加。

    2、半導體靶材：靶材應用的戰(zhàn)略高地17-20 年全球半導體增速有望超預期， 17 年國內(nèi)半導體增速 24.81%。 半導體靶材性能要求位居各類應用之首。 半導體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。 2017 全球半導體產(chǎn)業(yè)超預期增速 21.62%，從下游需求結構看，17 年增長主要源于半導體的主要應用是集成電路中的存儲器，增速達到 61.49%，增量來源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?從 15年開始國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)維持 20%左右增速，漸成常態(tài)。半導體產(chǎn)業(yè)從臺灣向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢比較確定，國內(nèi)政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導體產(chǎn)業(yè)。 國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模 1,387 億元。，至少帶動省市地方基金共 4,651億元，拉動國內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長和海外并購。 未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)增長。

2012-2017 全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模

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2012-2017 中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模

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    2011-2016 全球半導體用靶材年復合增長率 3.17%， 預計 2018-2020 國內(nèi)半導體靶材需求增速在 20%左右。 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)全球半導體用濺射靶材銷售額從 2011 年的 10.1 億美元到 2016 年為 11.7 億美元，年均復合增長率為 3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復合增長率為 2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復合增長率為 4.65%。2016 年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模約 14 億元，年增速達 20%。供給端，隨著國產(chǎn)濺射靶材技術成熟，尤其是國產(chǎn)濺射靶材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產(chǎn)化的政策導向；需求端，半導體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢已基本確立，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)崛起將推動國內(nèi)半導體靶材需求的提升。預計 2018-2020 年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴大，復合增速將維持在 2016 年 20%左右增速水平。

    3、磁記錄： 應用市場規(guī)?？捎^，有望從日韓轉(zhuǎn)移國產(chǎn)替代規(guī)?？捎^， 不容忽略。 靶材在磁記錄領域的應用容易被市場忽略，一方面因為對應的磁記錄下游增速不算快。 2012-2017 年我國信息記錄材料市場規(guī)模復合增速約 10%），另一方面磁記錄靶材在純度上要求并不如半導體和顯示靶材要求高。1）靶材的技術水平指標不僅有純度，在材料缺陷、表面質(zhì)量控制、材料均一性等維度都有嚴格控制指標； 2）實際上磁記錄靶材生產(chǎn)多數(shù)掌握在韓國、臺灣等企業(yè)，國內(nèi)實際上生產(chǎn)磁記錄靶材的企業(yè)和產(chǎn)量有限，國產(chǎn)替代化的存量空間可觀。

    太陽能用靶材： 靶材應用的后起之秀

    2011-2016 全球太陽能用靶材增速保持 20%以上。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間， 2016 年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4 億美元，在全球靶材市場中占比約 21%。2011-2016 年全球太陽能靶材規(guī)模增速一直保持在 20%以上。

    三、中國靶材行業(yè)發(fā)展規(guī)模預測

    國內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國產(chǎn)替代進程加速。2015 國內(nèi)靶材需求全球占比近 25%，年速約 20%；但國內(nèi)靶材企業(yè)市場份額不到 2%，供需比例反差明顯。隨著國內(nèi)濺射靶材技術的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術的提高，我國靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內(nèi)進出口量差距也在逐步縮小。隨著 2019 年國家進口靶材免稅期結束，國內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預計 2018-2020 年國內(nèi)靶材需求將維持 20%以上高速增長，市場份額有望進一步擴大。

    綜上，以 2016 年國內(nèi)外靶材規(guī)模數(shù)據(jù)為基準，并假設國內(nèi)各類靶材的需求增速， 測算得出： 18-20 年國內(nèi)靶材市場需求增速達 20%以上。

2018-2020 國內(nèi)靶材市場規(guī)模預測

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    2012-2016 國內(nèi)顯示增速 25%2016 國內(nèi)顯示靶材增速 15%。

2018-2020 國內(nèi)靶材顯示市場預測

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2018-2020 國內(nèi)靶材磁記錄市場預測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材半導體市場預測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材薄膜太陽能市場預測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材其他票預測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材國內(nèi)需求市場規(guī)模及增速預測

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2018-2020 國內(nèi)濺射靶材薄膜太陽能市場預測