靶材在微電子領(lǐng)域是如何應(yīng)用的呢？下面我們簡(jiǎn)單的了解一下：

　　在全部使用家產(chǎn)中，半導(dǎo)體家產(chǎn)對(duì)靶材濺射薄膜的品性要求是最尖酸的。當(dāng)今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造走出.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材擁有更好的細(xì)觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和平均性已被以為是影響薄膜沉淀率的主要因素。

　　薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，以前99.995%(4N5)純度的銅靶，或者可以滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，可是卻無法滿足當(dāng)今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um}藝甚而0.13m工藝，所需求的靶材純度將要求抵達(dá)5甚而6N以上。銅與鋁相對(duì)照，銅擁有更高的抗電遷徙實(shí)力及更低的電阻率，可以滿足!導(dǎo)體工藝在0.25um下面的亞微米布線的需求但卻帶米了其余的問題：銅與有機(jī)介質(zhì)原料的附著強(qiáng)度低.而且簡(jiǎn)易產(chǎn)生反應(yīng)，造成在運(yùn)用過程中芯片的銅互連線被侵蝕而斷路。為了處理以上這些問題，需求在銅與介質(zhì)層之間配置阻擋層。

　　阻擋層原料通常選用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)原料的附著功能優(yōu)良。銅互連和鋁互連的阻擋層原料是差異的.需求研制新的靶材原料。銅互連的阻擋層用靶材包含Ta、W、TaSi、WSi等.可是Ta、W都是難熔金屬.制造相對(duì)麻煩，當(dāng)今正在研討鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代原料。