儀器簡(jiǎn)介：
X-MaxN 的晶體尺寸從適合于微米分析的20 mm2到納米材料分析專用150 mm2的共四種可選。尤其是150 mm2為當(dāng)今晶體面積最大的探測(cè)器，分析速度至少是普通探測(cè)器的兩倍。
總覽
? 探測(cè)器晶體尺寸可選，分別為150 mm2，80 mm2，50 mm2，20 mm2
? 無論晶體面積或大或小，X-MaxN 的分辨率始終如一的好——并符合標(biāo)準(zhǔn)ISO15632:2012
? 無論晶體尺寸如何，能譜儀外管尺寸及在電鏡中的位置完全一致，確保相同條件下，計(jì)數(shù)率的增加只源于晶體尺寸的增加
? 強(qiáng)大的低能端分析，所有晶體面積的能譜儀均保證由Be開始
? 與上一代X-Max同，無論SEM或FIB均使用同一界面
? 無論晶體面積如何，優(yōu)異的性能始終如一
? X-MaxN 的晶體面積有20mm2, 50mm2, 80mm2 and 150mm2 –其中150mm2 是當(dāng)今晶體面積最大的能譜儀
? 因其獨(dú)特地外置型FET場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)，X-MaxN 的分辨率完全不受晶體面積變化的影響始終如一，且保證全部具有優(yōu)異的低能端檢測(cè)性能
? 探測(cè)器外管尺寸相同，意味著相同條件下，計(jì)數(shù)率僅與晶體面積有關(guān)
? 保證所有晶體面積的能譜儀均具有優(yōu)異的能量分辨率
? 出眾的低能端分析性能，保證所有尺寸的能譜儀皆可探測(cè)到Be元素
? 使用大面積能譜儀意味著：
? 低束流下有足夠的計(jì)數(shù)率
? 盡可能高的實(shí)現(xiàn)圖像的可視性及準(zhǔn)確性
? 無需為能譜分析改變SEM的條件
? 在相同束流下，極大地提高計(jì)數(shù)率
? 縮短采集時(shí)間
? 統(tǒng)計(jì)性更高
? 實(shí)現(xiàn)小束斑下的能譜分析
? 提高能譜檢測(cè)的空間分辨率
? 盡可能體現(xiàn)高分辨電鏡的優(yōu)勢(shì)
? 晶體面積越大，X-射線計(jì)數(shù)效率越高
相同條件下，晶體面積越大：
? 以前需要幾分鐘完成的工作，現(xiàn)在僅需要幾秒鐘——面/線分布更易獲得
? 采集時(shí)間相同，可極大地提高分析精度及統(tǒng)計(jì)性
? 大面積能譜儀——快速獲得所有顯微分析結(jié)果
優(yōu)異的低能端分析性能
X-MaxN 為低能端元素的分析做了巨大的優(yōu)化——無論何種尺寸，均前所未有的表現(xiàn)出優(yōu)異的低能端分析性能
? 所有尺寸的能譜儀均可保證檢測(cè)到Be，可獲得SiLI峰的面分布
? 超大面積的能譜儀——均具有優(yōu)異的低能端分析性能
? 優(yōu)異的空間分辨率
高空間分辨率，X射線擴(kuò)展區(qū)域更小
? 大面積能譜儀可以在低加速電壓及低束流下采集X-射線
? 納米尺度的特征可以更好的被檢測(cè)到
? 超大面積的能譜儀——使高級(jí)的納米分析成為可能
? 150 mm2 的能譜儀比小晶體面積的優(yōu)勢(shì)在哪里？
舉例為證。加速電壓20kV，束流不到2nA時(shí)，150 mm2 的能譜儀每秒即可輸出200,000的計(jì)數(shù)。而使用10 mm2 的能譜儀時(shí)，需要近20nA下才可達(dá)到相同的計(jì)數(shù)率。
? 下圖顯示不同束流下的典型計(jì)數(shù)率，20kV下分析純Mn時(shí)，探測(cè)器檢出角30°且距樣品45mm。使用大面積能譜儀，無需增加束流即可極大地增大計(jì)數(shù)率。也就是說在低束流下，保證高空間分辨率及低輻照損傷的同時(shí)可以獲得足夠多的計(jì)數(shù)。左圖顯示束流增加對(duì)改善圖像質(zhì)量的影響。
束流對(duì)納米材料分析的影響
? 當(dāng)使用晶體面積小的能譜儀，需要高束流來滿足足夠的計(jì)數(shù)率，但會(huì)損害空間分辨率。超大面積能譜儀X-MaxN 150可以在低束流即高空間分辨率下獲得足夠多計(jì)數(shù)，因此可以成功實(shí)現(xiàn)納米材料的檢測(cè)與分析。
上圖：納米結(jié)構(gòu)在5kV下的X-射線面分布。計(jì)數(shù)率相同時(shí)，150mm2的能譜儀所需束流更低，意味著空間分辨率足夠高可以分辨出納米尺度的變化，且極大地減弱了樣品的輻照損傷。相反，10mm2的能譜儀則需要更高的束流，卻會(huì)嚴(yán)重?fù)p害空間分辨率，使得面分布圖像模糊不清。
上圖：在0.2 nA, 3 kV下使用150 mm2 X-MaxN 的能譜儀對(duì)記憶合金中的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析?？梢杂^察到FeLa，NiLa及CuLa峰顯示出的納米結(jié)構(gòu)分布差異，最小可以區(qū)分出20nm寬度的結(jié)構(gòu)。
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